128 gigabajtów DDR4
7 kwietnia 2014, 16:27Firma SK Hynix poinformowała o powstaniu pierwszego 128-gigabajtowego modułu pamięci DDR4. Dotychczas na rynku były dostępne jedynie moduły o pojemności 64 gigabajtów.
Współpraca przy nanostemplowaniu
6 lutego 2015, 09:23Toshiba i SK Hynix podpisały umowę o współpracy przy rozwijaniu technik litografii wykorzystujących proces nanostemplowania (NIL – nano imprint litography). Inżynierowie obu przedsiębiorstw będą wspólnie od kwietnia bieżącego roku pracowali w laboratoriach Toshiby w Yokohama Complex
18-nanometrowe DRAM już w przyszłym roku
29 grudnia 2015, 10:37Samsung, Micron i SK Hynix rozpoczną w przyszłym roku produkcję układów DRAM w procesie 18 nanometrów. Samsung już zakończył prace nad procesem 1X-nano D-RAM i obecnie weryfikuje możliwości masowej produkcji w tej technologii
Menedżer Samsunga w więzieniu
22 września 2006, 14:17Departament Sprawiedliwości poinformował, że jeden z menedżerów amerykańskiego oddziału firmy Samsung został uznany winnym uczestnictwa w zmowie mającej na celu ustalanie cen. Thomas Quinn spędzi w więzieniu osiem miesięcy i zapłaci 250 tysięcy dolarów grzywny.
Rynkowy sukces AMD
6 grudnia 2006, 12:17iSuppli informuje, że zgodnie z jej danymi tegoroczne wpływy AMD wzrosną o 90% w porównaniu z rokiem ubiegłym i koncern trafi na listę 10 największych producentów układów scalonych na świecie. Na listę tą trafi też Hynix Semiconductor.
Kości GDDR5 mogą już trafić na rynek
12 maja 2008, 13:15Qimonda ogłosiła, że może rozpocząć dostawy układów pamięci graficznych GDDR5. W tej chwili mogą być one taktowane zegarami do 4,50 GHz.
Zbudują fabrykę memrystorów
1 września 2010, 16:04HP poinformowało o podpisaniu porozumienia z koreańską firmą Hynix Semiconductor, które przewiduje budowę fabryki memrystorów. Zakład ma rozpocząć produkcję w 2013 roku.
Pamięć z węglowych nanorurek gotowa do rynkowego debiutu
2 września 2016, 08:43Po ponad 15 latach prac badawczo-rozwojowych firmach Nantero ogłosiła, że pamięci NRAM CNT (carbon nanotubes) są gotowe do produkcji i mogą być używane w układach typu system-on-a-chip (SoC). Prace nad tego typu pamięciami rozpoczęły się w 2001 roku, a celem Nantero było stworzenie nieulotnych układów NRAM wykorzystujących węglowe nanorurki.
Mieli rzucić wyzwanie gigantom i Zachodowi. Chiński producent półprzewodników zbankrutował
24 listopada 2020, 18:24Wuhan Hongxin Semiconductor Manufacturing Company (HSMC), która miała konkurować z takimi gigantami jak TSMC czy Samsung, padła ofiarą wojny handlowej Chiny-USA. Jej były szef poinformował, że firma jest niewypłacalna. Inwestorom skończyły się pieniądze. Zaskoczyło mnie to. To koniec, wracam do domu do Kaliforni", mówi Chiang Shang-yi, były dyrektor ds. badawczo-rozwojowych w TSMC.
CCD o rozdzielczości 111 milionów pikseli
20 czerwca 2006, 16:50DALSA Semiconductor, oddział firmy DALSA Corporation, wyprodukowała matrycę CCD o rozdzielczości 111 megapikseli. Odbiorcą urządzenia jest Semiconductor Technology Associates (STA) z San Juan Capistrano w Kalifornii.
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 8 …
